14:00 - 14:15LASER-INDUCED MELTING FOR POLISHING WITH FEMTOSECOND GHZ-BURST ON STAINLESS STEEL
T. GUILBERTEAU1,2, P. BALAGE1, M. LAFARGUE3, F. HUSSON2, M. VALENTIN2, J. LOPEZ1, L. GEMINI2, I. MANEK-HÖNNINGER1
1Université de Bordeaux-CNRS-CEA, CELIA UMR 5107, 33400 Talence, France; 2ALPhANOV, Rue François Mitterrand, 33400 Talence, France; 3Amplitude, Cité de la Photonique, 11 Avenue de Canteranne, 33600 Pessac France
This contribution reports on the use of a femtosecond laser operating in GHz burst-mode for metal polishing, with and without ablation, to improve the micromachining quality.The study is performed onto stainless steel with various burst parameters. It shows a great improvement in surface quality with degrading the material properties.
14:15 - 14:30ELABORATION DE GUIDES 'RIB' A FORT CONFINEMENT SUR NIOBATE DE LITHIUM
P. LOREN, F. DOUTRE
INPHYNI, France
Nous présentons une méthode de fabrication de guides d’onde sur niobate de lithium qui hybride une technique d’échange protonique à fort Δn, HISOPE (High Index Soft Proton Exchange) avec les procédés d’usinage des guides rib et ridge liés niobate de lithium en couche mince.
14:30 - 14:45SILICON PROCESSING WITH BURSTS OF FEMTOSECOND PULSES
P. BALAGE1, M. LAFARGUE1,2, T. GUILBERTEAU1,3, G. BONAMIS2, C. HÖNNINGER2, J. LOPEZ1, I. MANEK-HÖNNINGER1
1CELIA, France; 2Amplitude, France; 3ALPhANOV, France
In this contribution, we compare three regimes, the repetitive single pulse regime, which will be our reference as it is the most used up to now in the industry, the MHz-burst regime as well as the GHz-burst regime which has already shown very interesting results on dielectrics drilling in the past few years.
14:45 - 15:00ACCUMULATION THERMIQUE DANS LE SOUDAGE VERRE-SILICIUM PAR LASER ULTRABREF À HAUTE FRÉQUENCE DE RÉPÉTITION
B. DE AZEVEDO1,2, D. PALLARÉS-ALDEITURRIAGA3, T. ENGEL1,2, F. ANTONI1, J.-P. GUIN4, É. AUDOUARD5, A. BAHOUKA3, S. LECLER1,2
1ICube, Université de Strasbourg CNRS; 2INSA Strasbourg; 3IREPA LASER, Illkich-Graffenstaden; 4Institut physique de Rennes, UMR 6251 & SCANMAT UAR 22025, Univ Rennes-CNRS; 5Amplitude, Pessac, France
Le soudage du verre par laser ultrabref basé sur une longue focale et une fréquence de répétition élevée permet, par accumulation thermique de souder jusqu’à une vitesse de 1 m/s tout en réduisant les contraintes résiduelles. Dans ce contexte, notre modèle de soudage verre-silicium permet de mieux comprendre le processus physique du soudage.
15:00 - 15:15SOUDAGE DE VERRE PAR TRANSPARENCE AVEC UN LASER ULTRABREF EN REGIME MONO-IMPULSION OU RAFALE
M. LAFARGUE1,2, P. BALAGE1, T. GUILBERTEAU1,3, B. GAVORY2, J. LOPEZ1, I. MANEK-HÖNNINGER1
1Université de Bordeaux-CNRS-CEA, CELIA UMR 5107, 33400 Talence, France; 2AMPLITUDE, Cité de la Photonique, 11 Avenue de Canteranne, 33600 Pessac France; 3ALPhANOV, Rue François Mitterrand, 33400 Talence, France
A travers cette contribution, nous présentons la réalisation de soudage par transparence de lames de verre sodocalcique. Un laser femtoseconde en régime MHz est utilisé, ainsi qu’un scanner galvanométrique. Nous avons soudé une large zone, sans contact optique et à haute vitesse.
15:15 - 15:45ONDES DE PRESSION INDUITES PAR LASER FEMTOSECONDE DANS DES MILIEUX TRANSPARENTS
A. MOUSKEFTARAS1, O. KORITSOGLOU1, G. DUCHATEAU2, O. UTÉZA1, D. LOISON3
1Aix-Marseille Université, CNRS, LP3, UMR7341, 13009 Marseille, France; 2CEA-CESTA, 15 Avenue des Sablières, CS60001, 33116 Le Barp Cedex, France; 3Institut de Physique de Rennes, CNRS, Université Rennes 1, F-35042 Rennes, France
Les caractéristiques dynamiques des ondes de pression générées par un laser femtoseconde sont étudiées dans l'air ambiant et à l'intérieur de la silice fondue.
15:45 - 16:00IMPLANTATION À HAUTE TEMPÉRATURE DE CENTRES NV DANS LE DIAMANT AU MOYEN D’UN FAISCEAU D’IONS FOCALISÉ
A. TALLAIRE
IRCP-CNRS, France
La création d'ensembles de centres azote-lacune (NV) avec de bonnes propriétés de spin est indispensable à la mise au point de capteurs quantiques à base de diamant. Dans ce travail nous réalisons l'implantation d'ions N+ à des températures de 800°Cce qui conduit à une émission de photoluminescence améliorée sans graphitisation du film à haute dose
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