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Programme de la conférence

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Récapitulatif du jour

Session

Session Posters n°2
Salle: FOYER

Présentation 72

P2.C13 - 492 - OPTIMISATION D'UNE COUCHE INP:FE SEMI-ISOLANTE ET DE FAIBLE EPAISSEUR : APPLICATION A UN RUBAN LASER III-V SUR UNE PLATEFORME PHOTONIQUE SILICIUM INDUSTRIELLE

C. LOURDIANE^1,2, D. NEEL¹, F. MARTIN¹, J. RAMIREZ¹, F. POMMEREAU¹, J. DECOBERT¹, E. TOURNIE², J.-B. RODRIGUEZ², T. BRIA³, F. FOURNEL³, C. BESANCON¹

1: III-V Lab, 91120 Palaiseau, France; 2: IES, Université de Montpellier, CNRS, 34000 Montpellier, France; 3: 3 Univ. Grenoble Alpes, CEA LETI, 3800 Grenoble, France

Nous proposons une architecture laser III-V/Si « tête déportée » compatible avec une plateforme photonique silicium 220 nm. Des simulations montrent une transition optique efficace (97 %). L’étude de diodes n–SI–n démontre qu’une couche InP:Fe de 500 nm permet d’atteindre une résistance de 1 MΩ assurant l’isolation électrique.