16:00 - 16:30LE LASER A POLARITONS SUR GUIDE D'ONDE GAN : DU POMPAGE OPTIQUE A L'INJECTION ELECTRIQUE
H. SOUISSI1, V. DEVELAY2, M. GROMOVYI3, S. CHENOT3, E. CAMBRIL1, C. BRIMONT2, L. DOYENNETTE2, T. GUILLET2, B. ALLOING3, E. FRAYSSINET3, J. ZUNIGA-PEREZ3, O. BAHROVA4, D. SOLNYSHKOV4, G. MALPUECH4, S. BOUCHOULE1
1Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, Université Paris-Saclay, France; 2Laboratoire Charles Coulomb (L2C), Université de Montpellier, CNRS, France; 3UCA, CNRS, CRHEA, Rue Bernard Gregory, 06560 Valbonne, France; 4Université Clermont Auvergne, CNRS, Institut Pascal, Clermont-Ferrand, France
Nous présentons la conception, la fabrication et la caractérisation de structures lasers à polaritons intégrant une injection électrique localisée. Malgré les défis liés à cette injection, une excitation hybride combinant pompage optique et injection électrique a permis d’atteindre le seuil laser à 300 K et d’amplifier l’émission.
16:30 - 16:45DUAL-COMB GENERATION IN III-V SEMICONDUCTOR EXTERNAL CAVITY LASER: DUAL TRANSVERSE MODES VERSUS DEGENERATED CAVITIES SOLUTIONS
M. NADRANI1, B. CHOMET1,2, A. BARTOLO1,3, N. VIGNE1, L. LE GRATIET4, G. BEAUDOIN4, K. PANTZAS4, I. SAGNES4, F. GONZALEZ-POSADA1, S. BLIN1, A. GARNACHE1
1IES, Université de Montpellier, CNRS UMR 5214, France; 2Laboratoire de Physique de l’Ecole normale supérieure, ENS, Université PSL, CNRS, Sorbonne Université, Université Paris Cité, Paris, France; 3LP2N, Institut d’Optique Graduate School, CNRS, Université de Bordeaux, 33400 Talence, France; 4Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, Université Paris-Saclay, CNRS UMR 9001, 91120 Palaiseau, France
We developed two passively mode-locked dual frequency-combs configurations based on III-V semiconductor VECSEL technology. Operating at a wavelength of 1.06µm, both configurations achieve 1GHz repetition rate with ultrashort pulse durations <5ps. The first configuration is a dual Laguerre-Gaussian (LG) mode oscillator, designed to generate two distinct frequency combs on a single optical axis. The second configuration is a modeless self-imaging cavity, featuring two distinct optical axes in a telecentric configuration to enable coherent dual-comb operation.
16:45 - 17:00DIODES LASERS STABILISÉES PAR CRIGF ACCORDABLES
A. MONMAYRNT, M. BÉLONDRADE, S. CHARLOT, V. BROSSA, S. CALVEZ, O. GAUTHIER-LAFAYE
LAAS, France
Les filtres CRIGFs permettent de réaliser des systèmes de diodes laser en cavité externe stabilisés en fréquence compacts et stables. En intégrant dans ces cavités des CRIGFs accordables réalisés en Niobate de Lithium, nous montrons qu’elles peuvent être accordées en exploitant les effets électro-optiques et thermo-optiques de ce matériau.
17:00 - 17:15MODÉLISATION ET CARACTÉRISATION DE LASERS FABRY-PEROT À PUITS QUANTIQUES III-V COLLÉS SUR SILICIUM
G. BRUEL1,2, S. GUERBER1, L. VIROT2, J. ROTHMAN1, F. BOEUF2
1CEA LETI, France; 2STMicroelectronics, France
Cet article présente l'optimisation d'un stack III-V (AlGaInAs) pour des Lasers Fabry-Perot (FP) de haute puissance reportés sur Silicium. Des modèles théoriques sont utilisés pour analyser l'empilement III-V. La puissance optique totale obtenue est de 90 mW. Ces mesures confirment l'utilisation de l'épitaxie III-V pour des Lasers intégrés sur Si.
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